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従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー~人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術~


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 千葉工業大学 工学部 機械電子創成工学科 菅 洋志 助教は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門、内藤 泰久 主任研究員、および国立研究開発法人 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 塚越 一仁 主任研究者と共同で、白金ナノギャップ構造を利用し、600 ℃でも動作する不揮発性メモリー素子をはじめて開発しました。
 通常のシリコン半導体を用いたメモリー素子では、バンドギャップに起因する半導体性を高温では保持できなくなり、メモリー機能を維持出来ません。今回、情報記憶部に耐熱性を有する白金ナノ構造を利用する方法によって、非常に高い温度で動作する不揮発性の抵抗変化メモリーの実現に成功しました。このメモリー素子は、高温環境下でのメモリーやセンサーへの応用、たとえばフライトレコーダーや惑星探査機への応用が期待されます。なお、この技術の詳細は、Springer Natureが発行する学術雑誌Scientific Reportsに論文として掲載される予定であり、10月11日付けで電子版に掲載されます。

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