千葉工業大学　プロジェクト研究年報　2014年版

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図1 基板の自転条件による作製膜の微細構造の変化．(a)(b) 定速0.8 rpm，(c)(d) 1/2成膜時点で反転，(e)(f) 1/4，1/2，3/4成膜時点で反転． 図2 基板位置による微細構造（くの字）の相違．基板中心からの距離：(a) ＋12 mm，(b) ＋9 mm，(c) 0 mm，(d) －9 mm，(e) －12 mm． 図3 形状膜厚500 nmの緻密およびINC化ITO膜の光透過率スペクトル． 図4 波長381 nmにおける光透過率の変化． 図3に，近紫外〜近赤外の光透過率スペクトルを示す．緻密膜では，干渉によるうねりが生じるため，波長によって大きく透過率が変化しているのに対し，垂直柱状INS膜（図1(a)(b)）では，自己遮蔽効果によって得られたINSが存在するため，干渉の影響が大きく低減されている．一方で，短波長側において散乱による光損失が発生するため，透過率が低下する．ジグザグ構造，くの字構造膜は原料供給の方向が柱状構造のものより限定され，一定方向でしか自己遮蔽効果が得られないため結晶粒径が揃わず，緻密膜と柱状構造膜の中間的な特徴を示す． 垂直柱状INS膜について，AiEC特性評価を行った結果を図4に示す．印加電位＋2～－1V間で，波長390 nm付近において最大8％の可逆的な透過率変化が確認された．以前に報告した透過率変化量は1.5%であり3)，スリットを用いて微細構造制御性を向上させることにより，AiEC特性が飛躍的に向上した． 参考文献 (1) 山崎純一，倉永知英，鷹羽秀隆，齋藤永宏，井上泰志，高井 治：表面技術，57，459 (2006) (2) J. Robbie and M. J. Brett : J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1460 (1997) (3)Y. Inoue, J. Matsui, H. Ishikawa, H. Tsuda, O. Takai, Thin Solid Films, 518, S6 (2010) 2014　千葉工業大学附属総合研究所　プロジェクト研究年報　　　　　　　　　　Project Report of Research Institute of C.I.T 2014　　　　　　2

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